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IRFBG32-003: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小41KB，共1页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRFBG32-003概述

Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 1000V, 6.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	1000 V
最大漏极电流 (ID)	2.1 A
最大漏源导通电阻	6.7 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	8.4 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管元件材料	SILICON

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