Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | TFBGA, BGA90,9X15,32 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 10 weeks |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns |
| 其他特性 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 |
| 长度 | 13 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 90 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 8MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm |
| IS42SM32800K-75BLI | IS42SM32800K-6BLI | |
|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 | Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) | Integrated Silicon Solution ( ISSI ) |
| 包装说明 | TFBGA, BGA90,9X15,32 | TFBGA, BGA90,9X15,32 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 10 weeks | 10 weeks |
| 访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 6 ns | 5.5 ns |
| 其他特性 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 133 MHz | 166 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B90 | R-PBGA-B90 |
| 长度 | 13 mm | 13 mm |
| 内存密度 | 268435456 bi | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 90 | 90 |
| 字数 | 8388608 words | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 | 8000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 8MX32 | 8MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA |
| 封装等效代码 | BGA90,9X15,32 | BGA90,9X15,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | 4096 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES |
| 连续突发长度 | 4,8 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最大压摆率 | 0.14 mA | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm |
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