Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-262AA |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 雪崩能效等级（Eas） | 160 mJ |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 80 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0072 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| IPI072N10N3G | IPI072N10N3GXKSA1 | IPP072N10N3 G | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3 | 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 栅源极阈值电压：3.5V @ 90uA 漏源导通电阻：7.2mΩ @ 80A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 100V 80A |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) | - |
| 零件包装代码 | TO-262AA | TO-262AA | - |
| 包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | - |
| 针数 | 3 | 3 | - |
| Reach Compliance Code | compli | compliant | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
| 雪崩能效等级（Eas） | 160 mJ | 160 mJ | - |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V | - |
| 最大漏极电流 (ID) | 80 A | 80 A | - |
| 最大漏源导通电阻 | 0.0072 Ω | 0.0072 Ω | - |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - |
| JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-262AA | - |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 3 | 3 | - |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | - |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL | - |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 320 A | 320 A | - |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
| 表面贴装 | NO | NO | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | - |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
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