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HYS64D128021EBDL-6-C

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200
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文件大小1MB,共31页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYS64D128021EBDL-6-C概述

DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200

HYS64D128021EBDL-6-C规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM,
针数200
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度8589934592 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

HYS64D128021EBDL-6-C相似产品对比

HYS64D128021EBDL-6-C HYS64D128021EBDL-5-C
描述 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.7ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 128MX64, 0.5ns, CMOS, GREEN, SODIMM-200
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM,
针数 200 200
Reach Compliance Code unknow unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.7 ns 0.5 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 8589934592 bi 8589934592 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 200 200
字数 134217728 words 134217728 words
字数代码 128000000 128000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 128MX64 128MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.6 V
表面贴装 NO NO
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL

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