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SMF6.0C

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共4页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
标准
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SMF6.0C概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 200W, 6V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

SMF6.0C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称HY Electronic
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压8.15 V
最小击穿电压6.67 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压6 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SMF SERIES
SURFACE MOUNT
UNIDIRECTIONAL AND BIDIRECTIONAL
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
FEATURES
For surface mounted applications in order to
.
REVERSE VOLTAGE
- 5.0
to
170
Volts
POWER DISSIPATION
- 200
Watts
SOD-123FL
.114(2.9)
.098(2.5)
.039(1.0)
.024(0.6)
.077(1.95)
.061(1.55)
.047(1.2)
.031(0.8)
.010(0.25)
.002(0.05)
.043(1.1)
.020(0.5)
.154(3.9)
.138(3.5)
.004(0.1)max
Dimensions in inches and(millimeters)
VALUE
200
20
See Next Table
1.25
-55 to + 150
-55 to + 150
UNIT
WATTS
AMPS
AMPS
VOLTS
optimize board space
Low profile space
Glass passivated chip
Low inductance
Excellent clamping capability
Very fast response time
Typical ID less than 1µA at V
WM
200 W peak pulse power capability
with a 10/1000
µs
waveform
Component in accordance to
RoHS 2002/95/1 and WEEE 2002/96/EC
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC SOD-123FL molded plastic
over passivated chip
Terminals: Solder plated, solderable per
MIL-STD-750 Method 2026
Polarity: For uni-directional types the band
by laser denotes the cathode, which is
positive with respect to the anode under
normal TVS operation
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Peak pulse power dissipation
with a 10/1000µs waveform (Note1,2)
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave
Peak pulse current 10/1000μS waveform(Note 1)
Forward voltage @IF=200mA (Note 3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
SYMBOL
PPPM
IFSM
IPPM
V
F
T
J
T
STG
Notes: 1.Non-repetitive current pulse and derated above TA=25℃
2.Mounted on 5.0mm2 copper pads to each terminal.
3. 8.3ms single half-wave duty cycle=4 pulses per minutes maximum (uni-directional units only).
REV. 1, 30-Dec-2011
~ 334 ~
一个交叉编译的问题【求助】
发生错误:/opt/mv_pro_4.0/montavista/pro/devkit/arm/v5t_le/bin/../lib/gcc/armv5tl-montavista-linuxeabi/3.4.3/../../../../armv5tl-montavista-linuxeabi/bin/ld: skipping incompatible ......
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