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BC858BLT1

产品描述100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小152KB,共8页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BC858BLT1概述

100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB

BC858BLT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量4.5 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)220
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值0.225 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.65 V

BC858BLT1相似产品对比

BC858BLT1 BC856ALT1 BC856BLT1 BC857ALT1 BC857BLT1 BC857CLT1 BC858ALT1 BC858CLT1
描述 100 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow unknow
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 4.5 pF 4.5 pF 4.5 pF 4.5 pF 4.5 pF 4.5 pF 4.5 pF 4.5 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 65 V 65 V 45 V 45 V 45 V 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 220 125 220 125 220 420 125 420
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
功耗环境最大值 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V 0.65 V
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING - SWITCHING SWITCHING

 
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