HMC716LP3TR,HMC716LP3TR pdf中文资料,HMC716LP3TR引脚图,HMC716LP3TR电路-Datasheet-电子工程世界

HMC716LP3TR: 产品描述Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,; 产品类别无线/射频/通信射频和微波; 文件大小729KB，共10页; 制造商Hittite Microwave（ADI）; 官网地址http://www.hittite.com/

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HMC716LP3TR概述

Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,

	HMC716LP3TR	FP-8989SD-11-5901-DD	HMC716LP3ETR
描述	Narrow Band Low Power Amplifier, 1 Func, GAAS,	Array/Network Resistor, Isolated, Tantalum Nitride/nickel Chrome, 0.05W, 5900ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, -15,15ppm/Cel, 3825,	Narrow Band Low Power Amplifier, 3100MHz Min, 3900MHz Max, 1 Func, GAAS, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMT, QFN-16
是否Rohs认证	不符合	不符合	符合
Reach Compliance Code	unknow	compliant	unknown
端子数量	16	14	16
最高工作温度	85 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-65 °C	-40 °C
技术	GAAS	TANTALUM NITRIDE/NICKEL CHROME	GAAS
厂商名称	Hittite Microwave（ADI）	-	Hittite Microwave（ADI）
包装说明	LCC16,.12SQ,20	-	LCC16,.12SQ,20
安装特点	SURFACE MOUNT	-	SURFACE MOUNT
功能数量	1	-	1
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码	LCC16,.12SQ,20	-	LCC16,.12SQ,20
电源	3/5 V	-	3/5 V
射频/微波设备类型	NARROW BAND LOW POWER	-	NARROW BAND LOW POWER
最大压摆率	90 mA	-	90 mA
表面贴装	YES	-	YES
构造	-	Flatpack	COMPONENT

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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