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GS81313HD18GK-550I

产品描述QDR SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260
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文件大小356KB,共25页
制造商GSI Technology
官网地址http://www.gsitechnology.com/
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GS81313HD18GK-550I概述

QDR SRAM, 8MX18, CMOS, PBGA260, 14 X 22 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, BGA-260

GS81313HD18GK-550I规格参数

参数名称属性值
厂商名称GSI Technology
包装说明HBGA,
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
JESD-30 代码R-PBGA-B260
长度22 mm
内存密度150994944 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度18
功能数量1
端子数量260
字数8388608 words
字数代码8000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织8MX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, HEAT SINK/SLUG
并行/串行PARALLEL
座面最大高度2.3 mm
最大供电电压 (Vsup)1.3 V
最小供电电压 (Vsup)1.15 V
标称供电电压 (Vsup)1.2 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
宽度14 mm
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