ET2147HN-1,ET2147HN-1 pdf中文资料,ET2147HN-1引脚图,ET2147HN-1电路-Datasheet-电子工程世界

ET2147HN-1: 产品描述Standard SRAM, 4KX1, 35ns, MOS, PDIP18; 产品类别存储存储; 文件大小427KB，共6页; 制造商Eurotechnique

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ET2147HN-1概述

Standard SRAM, 4KX1, 35ns, MOS, PDIP18

ET2147HN-1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Eurotechnique
包装说明	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	35 ns
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T18
JESD-609代码	e0
内存密度	4096 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
端子数量	18
字数	4096 words
字数代码	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	4KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	MOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

ET2147HN-1相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 4KX1, 35ns, MOS, PDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 55ns, MOS, PDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 70ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 85ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 55ns, MOS, PDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 35ns, MOS, CDIP18	Standard SRAM, 4KX1, 45ns, MOS, CDIP18
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3	DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code	unknow	unknown	unknown	unknown	unknown	unknow	unknow
最长访问时间	35 ns	55 ns	70 ns	85 ns	55 ns	35 ns	45 ns
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDIP-T18	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18	R-PDIP-T18	R-XDIP-T18	R-XDIP-T18
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	4096 bi	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bit	4096 bi	4096 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	18	18	18	18	18	18	18
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1	4KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3	DIP18,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.18 mA	0.125 mA	0.18 mA	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS	MOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1	1	-	-

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