电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

GL34B

产品描述0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
产品类别分立半导体    普通整流二极管   
文件大小209KB,共2页
制造商LGE
官网地址http://www.luguang.cn/web_en/index.html
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

GL34B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
GL34B - - 点击查看 点击购买

GL34B概述

0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA

GL34B规格参数

参数名称属性值
封装类型
Case Style
DO-213AA
IF(A)0.5
Maximum recurrent peak reverse voltage100
Peak forward surge current10
Maximum instantaneous forward voltage1.2
@IVA(A)0.5
Maximum reverse current5.0
TRR(nS)/
classDiodes

GL34B相似产品对比

GL34B GL34A GL34D GL34G GL34J GL34K GL34M
描述 0.5 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
封装类型
Case Style
DO-213AA - DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA DO-213AA
IF(A) 0.5 - 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
Maximum recurrent peak reverse voltage 100 - 200 400 600 800 1000
Peak forward surge current 10 - 10 10 10 10 10
Maximum instantaneous forward voltage 1.2 - 1.2 1.2 1.3 1.3 1.3
@IVA(A) 0.5 - 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
Maximum reverse current 5.0 - 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0
TRR(nS) / - / / / / /
class Diodes - Diodes Diodes Diodes Diodes Diodes

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 261  319  532  703  873 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved