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X2212DI/5

产品描述Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18
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文件大小347KB,共8页
制造商Xicor Inc
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X2212DI/5概述

Non-Volatile SRAM, 256X4, 300ns, NMOS, CDIP18, HERMETIC SEALED, CERDIP-18

X2212DI/5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Xicor Inc
包装说明HERMETIC SEALED, CERDIP-18
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间300 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度1024 bi
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数256 words
字数代码256
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256X4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
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