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EDI88128CS35TB

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
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文件大小232KB,共9页
制造商White Microelectronics
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EDI88128CS35TB概述

Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32

EDI88128CS35TB规格参数

参数名称属性值
厂商名称White Microelectronics
包装说明0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
内存密度1048576 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
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