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SND410

产品描述Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小66KB,共1页
制造商Silicon Transistor Corporation
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SND410概述

Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 400V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

SND410规格参数

参数名称属性值
厂商名称Silicon Transistor Corporation
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-T6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MSFM-T6
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
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