PDM41029L25TCB,PDM41029L25TCB pdf中文资料,PDM41029L25TCB引脚图,PDM41029L25TCB电路-Datasheet-电子工程世界

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PDM41029L25TCB: 产品描述Standard SRAM, 128KX9, 25ns, CMOS, CDIP32; 产品类别存储存储; 文件大小481KB，共9页; 制造商Paradigm Technology Inc

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PDM41029L25TCB概述

Standard SRAM, 128KX9, 25ns, CMOS, CDIP32

PDM41029L25TCB规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Paradigm Technology Inc
包装说明	DIP, DIP32,.4
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T32
JESD-609代码	e0
内存密度	1179648 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	9
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	128KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.4
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0005 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.165 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

PDM41029L25TCB相似产品对比

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描述	Standard SRAM, 128KX9, 25ns, CMOS, CDIP32	Standard SRAM, 128KX9, 45ns, CMOS, CDIP32	Standard SRAM, 128KX9, 45ns, CMOS, CDIP32	Standard SRAM, 128KX9, 45ns, CMOS, CDIP32	Standard SRAM, 128KX9, 55ns, CMOS, CDIP32	Standard SRAM, 128KX9, 25ns, CMOS, CDIP32	Standard SRAM, 128KX9, 25ns, CMOS, PDSO32	Standard SRAM, 128KX9, 20ns, CMOS, CDIP32
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc	Paradigm Technology Inc
包装说明	DIP, DIP32,.4	DIP, DIP32,.4	DIP, DIP32,.4	DIP, DIP32,.4	DIP, DIP32,.4	DIP, DIP32,.4	SOJ, SOJ32,.44	DIP, DIP32,.4
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	25 ns	45 ns	45 ns	45 ns	55 ns	25 ns	25 ns	20 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-XDIP-T32	R-PDSO-J32	R-XDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit	1179648 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	9	9	9	9	9	9	9	9
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	70 °C	125 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128KX9	128KX9	128KX9	128KX9	128KX9	128KX9	128KX9	128KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	SOJ	DIP
封装等效代码	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	DIP32,.4	SOJ32,.44	DIP32,.4
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A	0.0005 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.165 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.16 mA	0.165 mA	0.165 mA	0.175 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	1	-

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