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GBU4J

产品描述3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小320KB,共2页
制造商YEA SHIN TECHNOLOGY CO.,LTD
官网地址http://www.yeashin.com/
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GBU4J概述

3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

3 A, 600 V, 硅, 桥式整流二极管

GBU4J规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最大平均输入电流3 A
加工封装描述塑料, GBU, 4 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式THROUGH-孔
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置单一的
包装材料塑料/环氧树脂
结构桥, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
二极管类型桥式整流二极管
相数1
最大重复峰值反向电压600 V
最大非重复峰值正向电流150 A

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DATA SHEET
SEMICONDUCTOR
GBU4A THRU GBU4M
GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 4.0 Amperes
FEATURES
•Plastic
package has Underwriters Laboratory Flammability
Classification 94V-0
•This
series is UL listed under the Recognized Component
Index, file number E314039
•High
case dielectric
strength of 1500 VRMS
•Ideal
for printed circuit boards
•Glass
passivated chip junction
•High
surge current capability
•High
temperature soldering guaranteed:
260°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length,
5lbs. (2.3kg) tension
•High
temperature soldering : 260 C / 10 seconds at terminals
•Pb
free product at available : 99% Sn above meet RoHS
environment substance directive request
0.100 (2.54)
0.085 (2.16)
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.710 (18.0)
0.690 (17.5)
0.085 (2.16)
0.065 (1.65)
0.075
(1.9) R.
0.080 (2.03)
0.060 (1.52)
5
o
TYP.
0.085 (2.16)
0.075 (1.90)
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.740 (18.8)
0.720 (18.3)
0.020 R (TYP.)
0.880 (22.3)
0.860 (21.8)
0.125 (3.2) x 45
o
CHAMFER
9
o
TYP.
0.140 (3.56)
0.130 (3.30)
GBU
Unit:inch(mm)
O
MECHANICAL DATA
•Case:
Molded plastic body over passivated junctions
•Terminals:
Plated leads solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
•Mounting
Position: Any (NOTE 4)
•Mounting
Torque: 5 in. - lb. max.
•Weight:
0.15 ounce, 4.0 grams
0.080 (2.03)
0.065 (1.65)
0.190 (4.83)
0.210 (5.33)
0.022 (0.56)
0.018 (0.46)
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
•Ratings
at 25℃ambient temperature unless otherwise specified
SYMBOLS
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum average forward rectified TC=100°C (NOTE 1)
output current at TA=40°C (NOTE 2)
Peak forward surge current single sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC Method)TJ=150°C
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage drop
per leg at 4.0A
Maximum DC reverse current at TA=25°C
rated DC blocking voltage per leg TA=125°C
Typical junction capacitance per leg (NOTE 3)
Typical thermal resistance per leg (NOTE 2)
(NOTE 1)
Operating junction and storage temperature range
NOTES:
(1) Unit case mounted on 1.6 x 1.6 x 0.06” thick (4.0 x4.0 x 0.15cm) Al. Plate
(2) Units mounted on P.C.B. with 0.5 x 0.5" (12 x 12mm) copper pads and 0.375" (9.5mm) lead length
(3) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts
(4) Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum heat transfer with #6 screw
IR
Cj
RQJA
RQJC
TJ, TSTG
100.0
22.0
4.2
-55 to +150
I(AV)
VRRM
VRMS
VDC
GBU
4A
50
35
50
GBU
4B
100
70
100
GBU
4D
200
140
200
GBU
4G
400
280
400
4.0
3.0
150
93.0
1.0
5.0
500
45
GBU
4J
600
420
600
GBU
4K
800
560
800
GBU
4M
1000
700
1000
UNITS
Volts
Volts
Volts
Amps
IFSM
I2t
VF
Amps
A2sec
Volts
uA
pF
℃/W
http://www.yeashin.com
1
REV.02 20120305

GBU4J相似产品对比

GBU4J GBU4A GBU4B GBU4D GBU4G GBU4K GBU4M
描述 3 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 3 A, 50 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 4 A, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 2.8 A, 800 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
状态 TRANSFERRED - ACTIVE ACTIVE - DISCONTINUED ACTIVE
二极管类型 桥式整流二极管 - BRIDGE RECTIFIER DIODE 桥式整流二极管 - 桥式整流二极管 桥式整流二极管
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