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GBU2508-G

产品描述RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBU
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小73KB,共3页
制造商Comchip Technology
官网地址http://www.comchiptech.com/
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GBU2508-G概述

RECTIFIER BRIDGE 25A 800V GBU

RECTIFIER 桥 25A 800V GBU

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Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU25005-G Thru. GBU2510-G
Reverse Voltage: 50 to 1000V
Forward Current: 25.0A
RoHS Device
Features
-Surge overload rating - 350 amperes peak.
-Ideal for printed circuit board
0.437(11.1)
0.430(10.9)
GBU
0.874(22.2)
0.860(21.8)
0.161(4.1)
0.134(3.4)
0.126(3.2)*45
°
0.139(3.53)
0.133(3.37)
Chamfer
0.752(19.1)
0.720(18.3)
Mechanical Data
-Epoxy: U/L 94-V0 rate flame retardant.
-Case: Molded plastic, GBU
-Mounting position: Any
-Weight: 3.91grams
0.073(1.85)
0.057(1.45)
0.232(5.90)
0.213(5.40)
0.401(10.2)
0.392(9.80)
0.720(18.29)
0.680(17.27)
0.047(1.2)
0.035(0.9)
0.210(5.3)
0.190(4.8)
0.210(5.3)
0.190(4.8)
0.100(2.54)
0.085(2.16)
0.080(2.03)
0.065(1.65)
0.106(2.7)
0.091(2.3)
0.022(0.56)
0.018(0.46)
0.210(5.3)
0.190(4.8)
Dimensions in inches and (millimeter)
Maximum ratings and electrical characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
Parameter
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward (With heatsink Note2)
Rectified Current @Tc=100°C (without hestsink)
Symbol
GBU
25005-G
50
35
50
GBU
2501-G
100
70
100
GBU
2502-G
200
140
200
GBU
2504-G
400
280
400
25.0
4.2
350
1.1
10.0
500
200
70
2.2
-55 to +150
-55 to +150
GBU
2506-G
600
420
600
GBU
2508-G
800
560
800
GBU
2510-G
1000
700
1000
Unit
V
V
V
A
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
Peak Forward Surage Current ,
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed On Rated Load
Maximum Forward Voltage at 12.5A
Maximum DC Reverse Current
At Rate DC Blocking Voltage
I T Rating for Fusing(t<8.3ms)
Typical Junction Capacitandce Per Element
(Note 1)
T
Typical Thermal Resistance
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
2
V
F
I
R
It
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
2
V
μA
As
pF
°C/W
°C
°C
2
@T
J
=25°C
@T
J
=125°C
Notes:
1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
2. Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.
REV:A
QW-BBR59
Page 1
Comchip Technology CO., LTD.

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