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STP22NM50

产品描述N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小268KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STP22NM50概述

N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET

STP22NM50规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
雪崩能效等级(Eas)650 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
最大漏极电流 (ID)20 A
最大漏源导通电阻0.215 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)192 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)80 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

STP22NM50相似产品对比

STP22NM50 STP22NM50FP STB22NM50 STB22NM50-1
描述 N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V - 0.16ohm - 20A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 TO-220FP, 3 PIN SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli _compli compli
雪崩能效等级(Eas) 650 mJ 650 mJ 650 mJ 650 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A 20 A 20 A 20 A
最大漏极电流 (ID) 20 A 20 A 20 A 20 A
最大漏源导通电阻 0.215 Ω 0.215 Ω 0.215 Ω 0.215 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 192 W 45 W 192 W 192 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 80 A 80 A 80 A 80 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 符合 符合 符合 -
零件包装代码 TO-220AB TO-220AB - TO-262AA
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-220AB - TO-262AA
JESD-609代码 e3 e3 e3 -
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) -

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