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STP5NA80FI: 产品描述N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小189KB，共10页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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STP5NA80FI概述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STP5NA80FI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	compli
Is Samacsys	N
雪崩能效等级（Eas）	110 mJ
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.7 A
最大漏极电流 (ID)	2.8 A
最大漏源导通电阻	2.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	19 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

STP5NA80FI相似产品对比

	STP5NA80FI	STP5NA80
描述	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	TO-220, 3 PIN
针数	3	3
Reach Compliance Code	compli	_compli
雪崩能效等级（Eas）	110 mJ	110 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	2.7 A	4.8 A
最大漏极电流 (ID)	2.8 A	4.7 A
最大漏源导通电阻	2.4 Ω	2.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3	e3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	40 W	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	19 A	19 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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