电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

STP6NA80

产品描述N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小185KB,共10页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

STP6NA80概述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

STP6NA80规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-220AB
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Code_compli
雪崩能效等级(Eas)165 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.7 A
最大漏极电流 (ID)5.7 A
最大漏源导通电阻1.9 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)23 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

STP6NA80相似产品对比

STP6NA80 STP6NA80FI
描述 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 ISOWATT220, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
雪崩能效等级(Eas) 165 mJ 165 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V 800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.7 A 3.4 A
最大漏极电流 (ID) 5.7 A 3.4 A
最大漏源导通电阻 1.9 Ω 1.9 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 23 A 23 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
全体SoC爱好者的福音~Altera Cyclone SoC深度体验活动重磅开启!
[font=微软雅黑][size=3]喜欢SoC的小伙伴儿们,你们是不是早就期盼着拿到评估板伸手一试了?EEworld懂你们!:victory:[/size][/font][font=微软雅黑][size=3][/size][/font][font=微软雅黑][size=3][/size][/font][font=微软雅黑][size=3]Altera携手EEworld带你们开启一段深入体验Cyc...
EEWORLD社区 Altera SoC
同一个5v电源同时给ardunio单片机供电和舵机供电,怎么处理舵机转动时的突然压降?
我用左下的电源供电,发现用上边的小舵机可以正常转动。用大舵机就不行了,压降厉害,示波器看了一下降到2点多V了。这样ardunio就会复位的,现在有一个方案是,电源改成12V输入,用两个降压模块分别给ardunio和舵机供电。平且是可行的。不过这样一来成本会增加,体积会增大。我想直接5V输入有什么好的方法吗???我问别人,图三那个电路行得通吗??有木有大神给点意见...
赵怡彬 电源技术
原厂物料停产,项目仍需维护,求购迈冲A5D3X核心板
公司原来使用浙江迈冲MC_A5D3X_CORE_V2.0核心板,后来他们转型做整机产品了,仓库没有物料了,但是项目还要维护,想在市面抓一些,各位大佬有货或者好主意吗...
splash 工控电子
请问参加过国赛的大虾们软件基本模块需要准备些什么?
本人是大二的学生,今天第一次参加国赛,向请教一下参加国赛软件方面需要准备什么?我们用的是51系列的stc12c5a60s2的单片机,感觉stm32的难度要大得多...
18811707971 电子竞赛
一个简单的概念问题:接地与接电源的负极有什么区别吗?
我在用MultiSIM进行电路仿真的时候,在连接示波器的时候,将示波器的输入信号的负极(标有“-”号的输入端)与电源的负极和直接将该输入端接地后得到的波形完全不同,请问这是什么原因啊?...
tclbbq 嵌入式系统
EEWORLD大学堂----MSP430进阶培训—MSP430F5529的使用与开发
MSP430进阶培训—MSP430F5529的使用与开发:https://training.eeworld.com.cn/course/236????? MSP430F5529是德州仪器新一代F5xxx系列MCU的典型代表,不但拥有更低的功耗,而且在模拟外设、?数字外设和系统软件开发方面有了很大的改进。本培训课程包含九个章节,分别从MSP430产品路线、F5xxx系列特点、PMM、UCS、Timer...
chenyy 单片机

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 228  230  1319  1439  1520 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved