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FR606G

产品描述6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小64KB,共2页
制造商BILIN
官网地址http://www.galaxycn.com/
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FR606G概述

6 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
FR601G - -
-
FR607G
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 6.0 A
GLASS PASSIVATED RECTIFIERS
R-6
Glass passivated junction.
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC R--6,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:0.072 ounces,2.04 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
FR
601G
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
FR
602G
100
70
100
FR
603G
200
140
200
FR
604G
400
280
400
6.0
FR
605G
600
420
600
FR
606G
800
560
800
FR
607G
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
300.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 6.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.3
10.0
200.0
250
150
12
- 55---- +150
- 55---- + 150
500
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0269021
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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