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FR207G

产品描述2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小240KB,共2页
制造商DAESAN
官网地址http://www.diodelink.com
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FR207G概述

2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15

2 A, 1000 V, 硅, 整流二极管, DO-15

FR207G规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述塑料 PACKAGE-2
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层NOT SPECIFIED
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型整流二极管
应用EFFICIENCY
相数1
反向恢复时间最大0.5000 us
最大重复峰值反向电压1000 V
最大平均正向电流2 A
最大非重复峰值正向电流70 A

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FR201G THRU FR207G
Features
· Fast switching
· Low leakage
· Low forward voltage drop
· High current capability
· Glass passivated junction
· High switching capability
CURRENT 2.0 Amperes
VOLTAGE 50 to 1000 Volts
DO-15
0.140(3.6)
0.104(2.6)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
0.300(7.6)
0.230(5.8)
Mechanical Data
· Case : JEDEC DO-15 molded plastic body
· Terminals : Plated axial lead solderable per MIL-STD-750,
method 2026
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Mounting Position : Any
· Weight : 0.014 ounce, 0.39 gram
0.034(0.9)
0.028(0.7)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate by 20%)
Symbols
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375"(9.5mm) lead length T
A
=55℃
Peak forward surge current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC method)
Maximum instantaneous forward voltage
at 2.0A
Maximum DC reverse current at rated DC
blocking voltage
Maximum full load reverse current full cycle
average. 0.375"(9.5mm) lead length at
T
L
=55℃
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating junction and storage
temperature range
I
R
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
I
FSM
V
F
FR
201G
50
35
50
FR
202G
100
70
100
FR
203G
200
140
200
FR
204G
400
280
400
2.0
60
1.3
5.0
FR
205G
600
420
600
FR
206G
800
560
800
FR
207G
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
Amps
Volts
μA
100
Trr
C
J
T
J
T
STG
150
35
-65 to +175
250
500
ns
pF
Notes:
(1) Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A.
(2) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.

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描述 2 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15 RECTIFIER DIODE, DO-15 2 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15
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