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FR106G

产品描述1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小31KB,共2页
制造商HY Electronic
官网地址http://www.hygroup.com.tw
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FR106G概述

1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

FR106G规格参数

参数名称属性值
厂商名称HY Electronic
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-PALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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FR101G thru FR107G
GLASS FAST RECOVERY RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE
- 50
to
1000
Volts
FORWARD CURRENT
- 1.0
Amperes
DO- 41
FEATURES
Fast switching for high efficiency
Low cost
Diffused junction
Low reverse leakage current
Low forward voltage drop
High current capability
The plastic material carries UL recognition 94V-0
1.0(25.4)
MIN.
.034(0.9)
DIA
.028(0.7)
.205(5.2)
MAX
.107(2.7)
DIA
.080(2.0)
MECHANICAL DATA
Case: JEDEC DO-41 molded plastic
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.012 ounces , 0.34 grams
Mounting position: Any
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
CHARACTERISTICS
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Average Forward
Rectified Current
Peak Forward Surage Current
8.3ms Single Half Sine-Wave
Super Imposed on Rated Load(JEDEC Method)
Peak Forward Voltage at 1.0A DC
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@T
J
=25℃
@T
J
=100℃
@T
A
=75
SYMBOL FR101G FR102G FR103G FR104G FR105G FR106G FR107G
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
1.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
UNIT
V
V
V
A
I
FSM
V
F
I
R
T
RR
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
150
25
30
1.3
5.0
100
250
15
25
-50 to +150
-50 to +150
500
A
V
uA
nS
pF
℃/W
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Tyical Junction Capacitance (Note2)
Tyical Thermal Resistance (Note3)
Operating Temperature Range
Storage Temperature Range
NOTES: 1.Measured with I
F
=0.5A,I
R
=1A,I
RR
=0.25A
2.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC
3.Thermal resistance junction of ambient.
~ 59 ~

FR106G相似产品对比

FR106G FR105G FR107G
描述 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
厂商名称 HY Electronic HY Electronic HY Electronic
Reach Compliance Code unknow unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-41 DO-41 DO-41
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V 600 V 1000 V
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.25 µs 0.5 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
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