Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Gallium Nitride, Metal-oxide Semiconductor FET, 3.60 X 1.60 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIE-7
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Efficient Power Conversion |
| 包装说明 | UNCASED CHIP, R-XXUC-X7 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 22 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.025 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-XXUC-X7 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 7 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | UNCASED CHIP |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 90 A |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | GALLIUM NITRIDE |
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