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FMM5061VF

产品描述9500 MHz - 13300 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER
产品类别热门应用    无线/射频/通信   
文件大小175KB,共15页
制造商ETC1
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FMM5061VF概述

9500 MHz - 13300 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND MEDIUM POWER AMPLIFIER

9500 MHz - 13300 MHz 射频/微波宽带功率放大器

FMM5061VF规格参数

参数名称属性值
最大工作温度85 Cel
最小工作温度-40 Cel
最大输入功率26 dBm
最大工作频率13300 MHz
最小工作频率9500 MHz
加工封装描述HERMETIC SEALED, 金属 陶瓷, CASE VF, 6 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态TRANSFERRED
结构COMPONENT
端子涂层NOT SPECIFIED
阻抗特性50 ohm
微波射频类型WIDE 波段 MEDIUM POWER

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FMM5061VF
FEATURES
・High
Output Power: Pout=33.0dBm (typ.)
・High
Linear Gain: G
L
=27.0dB (typ.)
・Broad
Band: 9.5~13.3GHz
・Impedance
Matched Zin/Zout=50Ω
・Small
Hermetic Metal-Ceramic Package(VF)
DESCRIPTION
The FMM5061VF is a MMIC amplifier that contains a three-stage
amplifier, internally matched, for standard communications band in the
9.5 to 13.3GHz frequency range.
Eudyna Devices’s stringent Quality Assurance Program assures the
highest reliability and consistent performance.
ABSOLUTE MAXIMUM RATING
Item
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Input Power
Channel Temperature
Storage Temperature
Symbol
V
DD
V
GG
P
in
T
ch
T
stg
Condition
Rating
10
-7
26
+175
-55~125
Recommend
6
-5
12
-40~+85
o
X-Band Power Amplifier MMIC
Unit
V
V
dBm
o
C
o
C
Unit
V
V
dBm
o
C
Unit
GHz
dBm
dB
%
dBc
mA
mA
mA
dB
dB
RECOMMENDED OPERATING CONDITION
Item
Symbol
Drain-Source Voltage
V
DD
Gate-Source Voltage
V
GG
Input Power
P
in
Operating Case Temperature
T
C
Condition
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Case Temperature T
C
=25 C)
Item
Frequency Range
Output Power at 1dB G.C.P.
Power Gain at 1dB G.C.P.
Power-added Efficiency at 1dB G.C.P.
Third Order Intermodulation*
Drain Current at 1dB G.C.P.
Gate Current
Input Return Loss (at Pin=-20dBm)
Output Return Loss (at Pin=-20dBm)
Symbol
f
P
1dB
G
1dB
η
add
IM
3
I
DD
I
GG
RL
in
RL
out
Test Conditions
V
DD
=6V
V
GG
=-5V
Z
s
=Z
l
=50ohm
*1:f=9.5~11.7GHz
*2:f=11.7~13.3GHz
Limits
Min. Typ. Max.
9.5
-
13.3
*1
*1
31
33
-
*2
*2
29
31
-
24
*2
22
-
*1
26
*2
24
21
*1
*1
-
-
-
-
15
*2
-
*3
*3
*3:
f=10MHz ,
-42
-45
-
*1
*1
2-Tone Test,
-
1700 2400
*2
*2
-
1500 2400
P
out
=19dBm S.C.L.
-
25
-
-
-8
-
-
-8
-
CASE STYLE: VF
ESD
Class
0
G.C.P.:Gain Compression Point, S.C.L.:Single Carrier Level
~ 199 V
Note : Based on EIAJ ED-4701 C-111A(C=100pF, R=1.5kΩ)
Edition 1.2
July 2004
1

 
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