Synchronous DRAM, 256KX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | LAPIS Semiconductor Co Ltd |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| 针数 | 50 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 7 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 125 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G50 |
| 长度 | 20.95 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 50 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| MSM54V24616-8TS-K | MSM54V24616-12TS-K | MSM54V24616-10TS-K | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Synchronous DRAM, 256KX16, 7ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50 | Synchronous DRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50 | Synchronous DRAM, 256KX16, 9ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50 |
| 零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP50,.46,32 | TSOP2, TSOP50,.46,32 | TSOP2, TSOP50,.46,32 |
| 针数 | 50 | 50 | 50 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间 | 7 ns | 10 ns | 9 ns |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 125 MHz | 83 MHz | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G50 | R-PDSO-G50 | R-PDSO-G50 |
| 长度 | 20.95 mm | 20.95 mm | 20.95 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 50 | 50 | 50 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | TSOP2 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP50,.46,32 | TSOP50,.46,32 | TSOP50,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 1024 | 1024 | 1024 |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 自我刷新 | YES | YES | YES |
| 连续突发长度 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A | 0.002 A |
| 最大压摆率 | 0.18 mA | 0.13 mA | 0.15 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.97 V | 2.97 V | 2.97 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
| 厂商名称 | LAPIS Semiconductor Co Ltd | - | LAPIS Semiconductor Co Ltd |
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