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DPS256X16BJ3-25M

产品描述SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, HERMETIC SEALED, CERAMIC, J LEADED, MODULE, SLCC-48
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文件大小229KB,共10页
制造商Twilight Technology Inc
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DPS256X16BJ3-25M概述

SRAM Module, 512KX8, 25ns, CMOS, CQCC48, HERMETIC SEALED, CERAMIC, J LEADED, MODULE, SLCC-48

DPS256X16BJ3-25M规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Twilight Technology Inc
零件包装代码LCC
包装说明AQCCJ, LDCC48,.51X.88
针数48
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间25 ns
其他特性USER CONFIGURABLE AS 256K X 16
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CQCC-J48
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码AQCCJ
封装等效代码LDCC48,.51X.88
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER, PIGGYBACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度10.3886 mm
最大待机电流0.0072 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.39 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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