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CAT28LV65HNI-30TE13

产品描述EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32
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文件大小297KB,共10页
制造商Catalyst
官网地址http://www.catalyst-semiconductor.com/
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CAT28LV65HNI-30TE13概述

EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

CAT28LV65HNI-30TE13规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Catalyst
零件包装代码QFJ
包装说明QCCJ,
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最长访问时间300 ns
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e0
长度13.97 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量32
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.55 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度11.43 mm
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