N - CHANNEL 60V - 0.013ohm - 60A PowerSO-10 STripFET POWER MOSFET
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | SOT |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G10 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 350 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 60 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.016 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G10 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 10 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 240 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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