100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Fairchild Semiconduc |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Fairchild |
零件包装代码 | TO-92 |
包装说明 | LEAD FREE, TO-92, 3 PIN |
针数 | 3 |
制造商包装代码 | 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE) |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
Samacsys Confidence | |
Samacsys Status | Released |
Samacsys PartID | 251866 |
Samacsys Pin Cou | 3 |
Samacsys Part Category | Undefined or Miscellaneous |
Samacsys Package Category | Othe |
Samacsys Footprint Name | TO127P254X732-3 |
Samacsys Released Date | 2017-01-11 16:35:06 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | LOW NOISE |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
Base Number Matches | 1 |
BC548B | BC548 | BC548C | |
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描述 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 | NPN SILICON RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
Brand Name | Fairchild Semiconduc | Fairchild Semiconduc | Fairchild Semiconduc |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Fairchild | Fairchild | Fairchild |
零件包装代码 | TO-92 | TO-92 | TO-92 |
包装说明 | LEAD FREE, TO-92, 3 PIN | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
针数 | 3 | 3 | 3 |
制造商包装代码 | 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE) | 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE) | 3LD, TO-92, MOLDED, STD STRAIGHT LD (NO EOL CODE) |
Reach Compliance Code | compli | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LOW NOISE | - | LOW NOISE |
外壳连接 | ISOLATED | - | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A | - | 0.1 A |
集电极-发射极最大电压 | 30 V | - | 30 V |
配置 | SINGLE | - | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 200 | - | 420 |
JEDEC-95代码 | TO-92 | - | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | - | O-PBCY-T3 |
JESD-609代码 | e1 | - | e1 |
元件数量 | 1 | - | 1 |
端子数量 | 3 | - | 3 |
最高工作温度 | 150 °C | - | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND | - | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | - | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT APPLICABLE | - | NOT APPLICABLE |
极性/信道类型 | NPN | - | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.625 W | - | 0.625 W |
认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
表面贴装 | NO | - | NO |
端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | - | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT APPLICABLE | - | NOT APPLICABLE |
晶体管应用 | SWITCHING | - | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz | - | 300 MHz |
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