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IXFH16N50P3: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小177KB，共5页; 制造商IXYS; 标准

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IXFH16N50P3概述

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

IXFH16N50P3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IXYS
包装说明	PLASTIC, TO-247, 3 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）	300 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	16 A
最大漏极电流 (ID)	16 A
最大漏源导通电阻	0.36 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-247AD
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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