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IXBF9N140G

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小73KB,共4页
制造商IXYS
标准  
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IXBF9N140G概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel, ISOPLUS, I4PAC-3

IXBF9N140G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码ISOPLUS
包装说明ISOPLUS, I4PAC-3
针数3
制造商包装代码ISOPLUS
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)7 A
集电极-发射极最大电压1400 V
配置SINGLE
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)190 ns
标称接通时间 (ton)340 ns

 
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