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IDT8M624L85C

产品描述SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40
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文件大小432KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT8M624L85C概述

SRAM Module, 64KX16, 85ns, CMOS, CDIP40

IDT8M624L85C规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T40
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度16
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间6
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