FIFO, 1KX9, 40ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, THIN, PLASTIC, DIP-28
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 40 ns |
周期时间 | 50 ns |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 34.67 mm |
内存密度 | 9216 bit |
内存宽度 | 9 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 1024 words |
字数代码 | 1000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 1KX9 |
可输出 | NO |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.57 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
宽度 | 7.62 mm |
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