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IDT71L024L70BFI

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
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文件大小155KB,共9页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71L024L70BFI概述

Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46

IDT71L024L70BFI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
针数46
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B46
JESD-609代码e0
长度8.9 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量46
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFBGA
封装等效代码BGA48,6X8,30
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.4 mm
最大待机电流0.000005 A
最小待机电流1.5 V
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度6.9 mm

IDT71L024L70BFI相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46 Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46 Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46 Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA46, 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA BGA BGA BGA
包装说明 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46 7 X 9 X 1.40 MM HEIGHT, 0.75 MM PITCH, FPBGA-46
针数 46 46 46 46
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 70 ns 100 ns 100 ns 70 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PBGA-B46 R-PBGA-B46 R-PBGA-B46 R-PBGA-B46
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 8.9 mm 8.9 mm 8.9 mm 8.9 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8
湿度敏感等级 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 46 46 46 46
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFBGA LFBGA LFBGA LFBGA
封装等效代码 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30 BGA48,6X8,30
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225
电源 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最小待机电流 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
最大压摆率 0.025 mA 0.018 mA 0.018 mA 0.025 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式 BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm 0.75 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30 30
宽度 6.9 mm 6.9 mm 6.9 mm 6.9 mm

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