IDT70V3589S166BCG8,IDT70V3589S166BCG8 pdf中文资料,IDT70V3589S166BCG8引脚图,IDT70V3589S166BCG8电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70V3589S166BCG8: 产品描述Application Specific SRAM, 64KX36, 3.6ns, CMOS, PBGA256; 产品类别存储存储; 文件大小233KB，共23页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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IDT70V3589S166BCG8概述

Application Specific SRAM, 64KX36, 3.6ns, CMOS, PBGA256

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	BGA, BGA256,16X16,40
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)	166 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PBGA-B256
JESD-609代码	e1
内存密度	2359296 bit
内存集成电路类型	APPLICATION SPECIFIC SRAM
内存宽度	36
湿度敏感等级	3
端口数量	2
端子数量	256
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装等效代码	BGA256,16X16,40
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.5 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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