FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, PQCC68
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 20 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 28.6 MHz |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 18432 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 端子数量 | 68 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 1KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ |
| 封装形状 | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.07 A |
| 最大压摆率 | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 |
| 72225L35J | 72225L25J | 72225L35G | 72225L35GB | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, PQCC68 | FIFO, 1KX18, 15ns, Synchronous, CMOS, PQCC68 | FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, CPGA68 | FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, CPGA68 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 20 ns | 15 ns | 20 ns | 20 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 28.6 MHz | 40 MHz | 28.6 MHz | 28.6 MHz |
| JESD-30 代码 | S-PQCC-J68 | S-PQCC-J68 | S-XPGA-P68 | S-XPGA-P68 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 18432 bit | 18432 bit | 18432 bit | 18432 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| 端子数量 | 68 | 68 | 68 | 68 |
| 字数 | 1024 words | 1024 words | 1024 words | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 125 °C |
| 组织 | 1KX18 | 1KX18 | 1KX18 | 1KX18 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | QCCJ | QCCJ | PGA | PGA |
| 封装等效代码 | LDCC68,1.0SQ | LDCC68,1.0SQ | PGA68,11X11 | PGA68,11X11 |
| 封装形状 | SQUARE | SQUARE | SQUARE | SQUARE |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.07 A | 0.07 A | 0.07 A | 0.085 A |
| 最大压摆率 | 0.25 mA | 0.25 mA | 0.25 mA | 0.25 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | PIN/PEG | PIN/PEG |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | QUAD | QUAD | PERPENDICULAR | PERPENDICULAR |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 20 | 20 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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