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72225L35J

产品描述FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, PQCC68
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文件大小1004KB,共14页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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72225L35J概述

FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, PQCC68

72225L35J规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间20 ns
最大时钟频率 (fCLK)28.6 MHz
JESD-30 代码S-PQCC-J68
JESD-609代码e0
内存密度18432 bit
内存集成电路类型OTHER FIFO
内存宽度18
湿度敏感等级1
端子数量68
字数1024 words
字数代码1000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX18
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC68,1.0SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.07 A
最大压摆率0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20

72225L35J相似产品对比

72225L35J 72225L25J 72225L35G 72225L35GB
描述 FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, PQCC68 FIFO, 1KX18, 15ns, Synchronous, CMOS, PQCC68 FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, CPGA68 FIFO, 1KX18, 20ns, Synchronous, CMOS, CPGA68
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 20 ns 15 ns 20 ns 20 ns
最大时钟频率 (fCLK) 28.6 MHz 40 MHz 28.6 MHz 28.6 MHz
JESD-30 代码 S-PQCC-J68 S-PQCC-J68 S-XPGA-P68 S-XPGA-P68
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 18432 bit 18432 bit 18432 bit 18432 bit
内存集成电路类型 OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO OTHER FIFO
内存宽度 18 18 18 18
端子数量 68 68 68 68
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C
组织 1KX18 1KX18 1KX18 1KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC
封装代码 QCCJ QCCJ PGA PGA
封装等效代码 LDCC68,1.0SQ LDCC68,1.0SQ PGA68,11X11 PGA68,11X11
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER GRID ARRAY GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.07 A 0.07 A 0.07 A 0.085 A
最大压摆率 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA 0.25 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD PERPENDICULAR PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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