CY7C1387D-167BGXI,CY7C1387D-167BGXI pdf中文资料,CY7C1387D-167BGXI引脚图,CY7C1387D-167BGXI电路-Datasheet-电子工程世界

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CY7C1387D-167BGXI: 产品描述Cache SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119; 产品类别存储存储; 文件大小548KB，共30页; 制造商Cypress(赛普拉斯); 标准

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CY7C1387D-167BGXI概述

Cache SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119

CY7C1387D-167BGXI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
针数	119
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.4 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1
长度	22 mm
内存密度	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	18
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	119
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX18
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm

CY7C1387D-167BGXI相似产品对比

	CY7C1387D-167BGXI	CY7C1386D-250BGI	CY7C1387D-250BGXI	CY7C1387D-167BGI	CY7C1387D-250BGI	CY7C1386D-250BGXI
描述	Cache SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 3.4ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 1MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合	不符合	符合
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, BGA-119	BGA, BGA165,11X15,40
针数	119	119	119	119	119	119
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	3.4 ns	2.6 ns	2.6 ns	3.4 ns	2.6 ns	2.6 ns
其他特性	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119	R-PBGA-B119
JESD-609代码	e1	e0	e1	e0	e0	e1
长度	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm	22 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	18	36	18	18	18	36
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	119	119	119	119	119	119
字数	1048576 words	524288 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	524288 words
字数代码	1000000	512000	1000000	1000000	1000000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX18	512KX36	1MX18	1MX18	1MX18	512KX36
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	260
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm	2.4 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	TIN LEAD	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	20	NOT SPECIFIED	20	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
最大时钟频率 (fCLK)	-	250 MHz	250 MHz	-	250 MHz	250 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40	-	BGA165,11X15,40	BGA165,11X15,40
电源	-	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	-	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
最大待机电流	-	0.07 A	0.07 A	-	0.07 A	0.07 A
最小待机电流	-	3.14 V	3.14 V	-	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	-	0.35 mA	0.35 mA	-	0.35 mA	0.35 mA

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