RF POWER TRANSISTOR
参数名称 | 属性值 |
零件包装代码 | TO-39 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 10 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz |
Base Number Matches | 1 |
BC441 | BC440 | BC461 | BC460 | |
---|---|---|---|---|
描述 | RF POWER TRANSISTOR | RF POWER TRANSISTOR | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 | RF POWER TRANSISTOR |
零件包装代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
针数 | 3 | 3 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 1 A | 1 A | 1 A | 1 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 40 V | 60 V | 40 V |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 40 | 40 | 40 | 40 |
JEDEC-95代码 | TO-39 | TO-39 | TO-39 | TO-39 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN | NPN | PNP | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 10 W | 10 W | 10 W | 10 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz | 50 MHz |
厂商名称 | - | Micro Electronics | Micro Electronics | Micro Electronics |
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