IC DUAL OP-AMP, 30000 uV OFFSET-MAX, 2.2 MHz BAND WIDTH, PDSO10, MICRO, SOIC-10, Operational Amplifier
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP10,.19,20 |
| 针数 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA |
| 标称共模抑制比 | 45 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 30000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 3 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 10 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP10,.19,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 功率 | NO |
| 电源 | 2.7/5 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.1 mm |
| 标称压摆率 | 3.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3.5 mA |
| 供电电压上限 | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 2200 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 3 mm |
| AD8592ARM-REEL | AD8592ARMZ-REEL | |
|---|---|---|
| 描述 | IC DUAL OP-AMP, 30000 uV OFFSET-MAX, 2.2 MHz BAND WIDTH, PDSO10, MICRO, SOIC-10, Operational Amplifier | CMOS Single Supply RRIO Dual Op Amp with ±250 mA Output Current and Shutdown Mode |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ADI(亚德诺半导体) | ADI(亚德诺半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP10,.19,20 | TSSOP, TSSOP10,.19,20 |
| 针数 | 10 | 10 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00006 µA | 0.00006 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.00005 µA | 0.00005 µA |
| 标称共模抑制比 | 45 dB | 45 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 30000 µV | 30000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G10 | R-PDSO-G10 |
| JESD-609代码 | e0 | e3 |
| 长度 | 3 mm | 3 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | NO | NO |
| 微功率 | NO | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 10 | 10 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP10,.19,20 | TSSOP10,.19,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 260 |
| 功率 | NO | NO |
| 电源 | 2.7/5 V | 2.7/5 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.1 mm | 1.1 mm |
| 标称压摆率 | 3.5 V/us | 3.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3.5 mA | 3.5 mA |
| 供电电压上限 | 6 V | 6 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 40 |
| 标称均一增益带宽 | 2200 kHz | 2200 kHz |
| 最小电压增益 | 15000 | 15000 |
| 宽带 | NO | NO |
| 宽度 | 3 mm | 3 mm |
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