RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Advanced Semiconductor, Inc. |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 25 A |
基于收集器的最大容量 | 100 pF |
集电极-发射极最大电压 | 30 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 15 |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-CDFM-F4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 310 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved