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SVC233

产品描述65.405 pF, 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小71KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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SVC233概述

65.405 pF, 16 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SVC233规格参数

参数名称属性值
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最小击穿电压16 V
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差5.18%
最小二极管电容比2.35
标称二极管电容65.405 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最小质量因数60
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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Ordering number : EN5534
Silicon Diffused Junction Type
SVC233
Varactor Diode for FM Band Pager
Features
• Low Voltage (4.5V).
• Twin type varactor diode device for FM band pagers
because of excellent large-signal input characteristics.
• Small-size package (CP) permitting SVC233-applied sets
to be compact and slim.
• Possible to offer the SVC233 devices in a tape reel
packaging, which facilitates automatic insertion.
Package Dimensions
unit: mm
1169A-CP
[SVC233]
Specifications
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25°C
Parameter
Reverse Voltege
Junction Temperature
Storage temperature
Symbol
V
R
Tj
Tstg
Conditions
Ratings
16
125
–55 to +125
1 : Anode
2 : Anode
3 : Cathode
SANYO: CP
Unit
V
°C
°C
Electrical Characteristics
at Ta=25°C
Parameter
Breakdown Voltage
Reverse Current
Interterminal Capacitance *
Symbol
V(BR)R
IR
C1V
C3.0V
C4.5V
Quality Factor
Capacitance Ratio
Matching Tolerance
Q
CR
∆Cm
IR=10µA
VR=10V
VR=1.0V, f=1MHz
VR=3.0V, f=1MHz
VR=4.5V, f=1MHz
VR=3.0V, f=100MHz
C1.0V / C4.5V
VR=1.0, 3.0, 4.5V, f=1MHz
(Cmax – Cmin) / Cmin
Note ) * : Capacitance value of one diode
Marking : SV
62.02
33.45
21.45
60
2.35
3.00
0.03
Conditions
Ratings
min
16
50
68.79
41.98
28.27
typ
max
Unit
V
nA
pF
pF
pF
Electrical Connection
3
1
2
1 : Anode
2 : Anode
3 : Cathode
A06245
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN
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