PNP Silicon Switching Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | SIEMENS |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.6 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 50 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 1 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 200 MHz |
最大关闭时间(toff) | 110 ns |
最大开启时间(吨) | 50 ns |
VCEsat-Max | 0.4 V |
SXT2907A | Q68000-A8300 | |
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描述 | PNP Silicon Switching Transistor | PNP Silicon Switching Transistor |
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