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BC212

产品描述COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小330KB,共5页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
标准
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BC212概述

COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR

BC212规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fairchild
零件包装代码TO-92
包装说明TO-92, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)60
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.625 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

BC212相似产品对比

BC212 BC213
描述 COMPLEMENTARY SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR 500 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Fairchild Fairchild
零件包装代码 TO-92 TO-92
包装说明 TO-92, 3 PIN LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.3 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 60 80
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.625 W 0.625 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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