SB35M1000A1S51836,SB35M1000A1S51836 pdf中文资料,SB35M1000A1S51836引脚图,SB35M1000A1S51836电路-Datasheet-电子工程世界

SB35M1000A1S51836: 产品描述Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF, Through Hole Mount, ROHS COMPLIANT; 产品类别无源元件电容器; 文件大小378KB，共4页; 制造商YAGEO(国巨); 官网地址http://www.yageo.com/; 标准

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SB35M1000A1S51836概述

Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 35V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1000uF, Through Hole Mount, ROHS COMPLIANT

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	YAGEO(国巨)
包装说明	,
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
电容	1000 µF
电容器类型	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
介电材料	ALUMINUM (WET)
ESR	130 mΩ
漏电流	0.07 mA
制造商序列号	SB
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT
负容差	20%
端子数量	2
最高工作温度	105 °C
最低工作温度	-40 °C
封装形状	CYLINDRICAL PACKAGE
包装方法	TR
极性	POLARIZED
正容差	20%
额定（直流）电压（URdc）	35 V
纹波电流	1723 mA
表面贴装	NO
Delta切线	0.1
端子形状	WIRE

第三章底层库函数: 小川工作室编写，本书为LM3S的USB芯片编写，上传的均为草稿，还有没修改，可能还有很多地方不足，希望各位网友原谅！QQ:2609828265TEL:15882446438E-mail:paulhyde@126.com第三章底层库函数3.1底层库函数简介寄存器级编程直接、效率高，但不易编写与移植。一般情况下，不使用寄存器级编程。为了让开发者在最短时间内完成产品设计，Luminary&#...; paulhyde 微控制器 MCU

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