WS512K32N-55G4TQA,WS512K32N-55G4TQA pdf中文资料,WS512K32N-55G4TQA引脚图,WS512K32N-55G4TQA电路-Datasheet-电子工程世界

WS512K32N-55G4TQA: 产品描述SRAM Module, 512KX32, 55ns, CMOS, CQFP68, 40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68; 产品类别存储存储; 文件大小577KB，共11页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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WS512K32N-55G4TQA概述

SRAM Module, 512KX32, 55ns, CMOS, CQFP68, 40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	40 X 40 MM, 3.50 MM HEIGHT, HERMETIC SEALED, CERAMIC, QFP-68
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	55 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 2M X 8
备用内存宽度	16
JESD-30 代码	S-CQFP-F68
JESD-609代码	e0
长度	39.6 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	68
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFF
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
筛选级别	MIL-STD-883
座面最大高度	3.56 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	39.6 mm

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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