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WE128K32NP-250H1C: 产品描述EEPROM Module, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66; 产品类别存储存储; 文件大小497KB，共14页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

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WE128K32NP-250H1C概述

EEPROM Module, 128KX32, 250ns, Parallel, CMOS, CPGA66, 1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	1.075 X 1.075 INCH, HERMETIC SEALED, CERAMIC, HIP-66
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	250 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 512K X 8
备用内存宽度	16
数据轮询	YES
耐久性	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	S-CPGA-P66
JESD-609代码	e4
长度	27.3 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	EEPROM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端子数量	66
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX32
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装等效代码	PGA66,11X11
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
编程电压	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.34 mm
最大待机电流	0.0025 A
最大压摆率	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	GOLD
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	YES
宽度	27.3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms
写保护	SOFTWARE

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