Cache SRAM, 256X4, 4ns, MOS, CDIP22, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-22
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vitesse Semiconductor Corporation |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP22,.4 |
| 针数 | 22 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 4 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T22 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 28 mm |
| 内存密度 | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 4 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 22 |
| 字数 | 256 words |
| 字数代码 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256X4 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP22,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.064 mm |
| 最大压摆率 | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm |
| VS12G422TDC-4 | VS12G422TDC-5 | VS12G422TDC-6 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Cache SRAM, 256X4, 4ns, MOS, CDIP22, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-22 | Cache SRAM, 256X4, 5ns, MOS, CDIP22, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-22 | Cache SRAM, 256X4, 6ns, MOS, CDIP22, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-22 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Vitesse Semiconductor Corporation | Vitesse Semiconductor Corporation | Vitesse Semiconductor Corporation |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 | DIP, DIP22,.4 |
| 针数 | 22 | 22 | 22 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 4 ns | 5 ns | 6 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T22 | R-CDIP-T22 | R-CDIP-T22 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 28 mm | 28 mm | 28 mm |
| 内存密度 | 1024 bit | 1024 bit | 1024 bit |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 4 | 4 | 4 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 22 | 22 | 22 |
| 字数 | 256 words | 256 words | 256 words |
| 字数代码 | 256 | 256 | 256 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256X4 | 256X4 | 256X4 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP22,.4 | DIP22,.4 | DIP22,.4 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.064 mm | 4.064 mm | 4.064 mm |
| 最大压摆率 | 0.3 mA | 0.3 mA | 0.3 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.25 V | 5.25 V | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.75 V | 4.75 V | 4.75 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO |
| 技术 | MOS | MOS | MOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
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