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EGL41G

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小106KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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EGL41G概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB

EGL41G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压400 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
Base Number Matches1

EGL41G相似产品对比

EGL41G BYM12-100 BYM12-150 BYM12-300 EGL41C EGL41E
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 0.5 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 0.5 A, 300 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世) -
Reach Compliance Code unknow unknow unknow unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE - SINGLE -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1 V 1 V - 1 V -
元件数量 1 1 1 - 1 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C - 175 °C -
最大输出电流 1 A 1 A 1 A - 1 A -
最大重复峰值反向电压 400 V 100 V 150 V - 150 V -
最大反向恢复时间 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs - 0.05 µs -
表面贴装 YES YES YES - YES -
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