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EGL34D

产品描述0.5 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小81KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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EGL34D概述

0.5 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA

EGL34D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
最大非重复峰值正向电流10 A
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流0.5 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.05 µs
表面贴装YES
Base Number Matches1

EGL34D相似产品对比

EGL34D BYM07-50_11 EGL34C EGL34F
描述 0.5 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AA
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) - Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknown - unknown unknown
配置 SINGLE - SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V - 1.25 V 1.35 V
最大非重复峰值正向电流 10 A - 10 A 10 A
元件数量 1 - 1 1
最高工作温度 175 °C - 175 °C 175 °C
最大输出电流 0.5 A - 0.5 A 0.5 A
最大重复峰值反向电压 200 V - 150 V 300 V
最大反向恢复时间 0.05 µs - 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 YES - YES YES
Base Number Matches 1 - 1 1
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