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WCTM12882503D

产品描述RESISTOR, NETWORK, FILM, DIVIDER, SURFACE MOUNT, CHIP
产品类别无源元件    电阻器   
文件大小119KB,共3页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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WCTM12882503D概述

RESISTOR, NETWORK, FILM, DIVIDER, SURFACE MOUNT, CHIP

WCTM12882503D规格参数

参数名称属性值
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMT, 0404
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性STANDARD: MIL-STD-883
构造Chip
元件功耗0.02 W
第一元件电阻4125000 Ω
制造商序列号CTM
安装特点SURFACE MOUNT
网络类型DIVIDER
元件数量2
功能数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
封装高度0.254 mm
封装长度1.02 mm
封装形状RECTANGULAR PACKAGE
封装形式SMT
封装宽度1.02 mm
包装方法TRAY
额定功率耗散 (P)0.02 W
额定温度70 °C
参考标准MIL-STD-883
电阻8250000 Ω
电阻器类型ARRAY/NETWORK RESISTOR
第二/最后一个元素电阻4125000 Ω
系列CTM
尺寸代码0404
表面贴装YES
技术THIN FILM
温度系数350 ppm/°C
温度系数跟踪5 ppm/°C
端子形状ONE SURFACE
容差0.5%
工作电压100 V

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CTM
Vishay Electro-Films
Megohm Center-Tap Chip Resistor
CHIP
RESISTORS
FEATURES
Product may not
be to scale
Wire bondable
Resistance range total: 200 kΩ to 10 MΩ
Center tap
Chip size: 0.040 inches square
The CTM resistor chips extends the resistance range to 10M
in a center tap configuration while keeping the die size
relatively small.
The CTMs are manufactured using Vishay Electro-Films
(EFI) sophisticated thin film equipment and manufacturing
technology. The CTMs are 100 % electrically tested and
visually inspected to MIL-STD-883.
Resistor material: Tantalum nitride, self-passivating
Moisture resistant
APPLICATIONS
Vishay EFI CTM tapped megohm resistor chips are designed for hybrid packages requiring high value, two resistor combinations.
TEMPERATURE COEFFICIENT OF RESISTANCE, VALUES AND TOLERANCES
Tightest Standard Tolerance Available
PROCESS CODE
0.1 %
± 50 ppm/°C
± 100 ppm/°C
0 to - 250 ppm/°C
0 to - 350 ppm/°C
0.2 %
0.5 %
CLASS H*
100
101
099
098
*MIL-PRF-38534 inspection criteria
CLASS K*
130
131
129
128
200 kΩ
1.0 MΩ
2 MΩ
5 MΩ
10 MΩ
STANDARD ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
TCR Tracking Between Resistors
Ratio/Ratio,
R
A
/R
B
: Tolerance
Noise
Moisture Resistance, MIL-STD-202, Method 106
Stability, 1000 h, + 125 °C, 10 mW
Operating Temperature Range
Thermal Shock, MIL-STD-202, Method 107, Test Condition F
High Temperature Exposure, + 150 °C, 100 h
Dielectric Voltage Breakdown
Insulation Resistance
Operating Voltage
DC Power Rating at + 70 °C (Derated to Zero at + 175 °C)
5 x Rated Power Short-Time Overload, + 25 °C, 5 s
± 5 ppm/°C
1 ± 1 % standard
- 12 dB typ.
± 0.5 % max.
ΔR/R
± 0.5 % max. absolute
± 0.005 % ratio
- 55 °C to + 125 °C
± 0.25 % max.
ΔR/R
± 0.5 % max.
ΔR/R
200 V
10
12
min.
100 V max.
20 mW each resistor
± 0.25 % max.
ΔR/R
www.vishay.com
80
For technical questions, contact: efi@vishay.com
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